中国教育报-中国教育新闻网讯(记者李莹金秋月)近日，吉林大学邹广田院士团队在大尺寸单晶金刚石制备领域取得重大突破，成功研发出拥有自主知识产权的“台阶流调控技术”，并制备出2英寸(50*50mm)单晶金刚石。相关成果发表于国际学术期刊Functional Diamond,2026,6,2620820。这标志着我国在“下一代超宽禁带半导体”战略材料——金刚石的制备技术上迈出了关键一步，为实现其产业化应用奠定了坚实基础。
金刚石以其卓越的物理和电学性能，被誉为“终极半导体”材料，具备超高临界电场强度、高载流子迁移率、高热导率等优势，在功率电子、射频器件、量子信息等前沿领域具有广阔应用前景。
近年来，邹广田院士团队先后承担广东省重点领域研发计划、工信部重点项目、海南省重点专项等，累计科研经费达5000万元，建成国内首台30kW、2.45GHz MPCVD金刚石生长设备，成功生长出6英寸多晶金刚石膜，平均生长速率达12μm/h，良品率超70%；已具备批量制备1英寸单晶金刚石能力，技术成熟度达7级。在纯度控制方面，团队研发出杂质俘获与位错湮灭技术，使氮、硅杂质浓度低于PL及XPS光谱探测极限，氮杂质浓度小于5ppb，达到国际领先水平，与元素六公司产品相当。
随着大尺寸、高纯度单晶金刚石制备技术的不断成熟，金刚石材料必将从“未来材料”跃升为驱动新一代信息技术、高端装备、生物医疗等领域创新发展的“核心材料”，其商业化进程与应用拓展正迎来黄金发展期。
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